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Known Good Die (KGD) program

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已知良好芯片 (KGB) 计划


恩智浦的功率裸芯片计划克服了裸芯片在组装过程的各种困难,带来经过全面测试的高质量器件。我们所有的功率 MOSFET 器件都经过专门的设计,拥有稳定的高电流效能以及精确计量的导通电阻等,实现前所未有的卓越性能。

主要优势

  • 大幅降低导通电阻计量难度,精确度到达 0.1 Ω
  • 更优异的散热性能
  • 可实现特殊应用的芯片设计
  • 由于矽芯片直接安装在模块基板,所以可大幅降低热阻
  • 可在高温下持续运行 (通常高于 175°C)
  • 可在高电流情况下持续运行 (通常高于 200 A)
  • 组装到混合模块后拥有超高可靠度
  • 百分之百个别功率芯片测试,确保高质量
  • 经过雪崩测试与视觉监测
  • 25 A 高电流测试
  • 采用卷带式封装供货

主要应用

  • 电子动力方向盘 (EPAS, Electric Power Assisted Steering)
  • 集成启动交流发电机 (ISA, Integrated Starter Alternator)

相关信息

功率裸芯片计划 - Known Good Die (KGD) 汽车电子功率 MOSFET

产品介绍

BUK9004-30A
BUK9005-40A
BUK9006-55A