恩智浦的功率裸芯片计划克服了裸芯片在组装过程的各种困难,带来经过全面测试的高质量器件。我们所有的功率 MOSFET 器件都经过专门的设计,拥有稳定的高电流效能以及精确计量的导通电阻等,实现前所未有的卓越性能。
- 大幅降低导通电阻计量难度,精确度到达 0.1 Ω
- 更优异的散热性能
- 可实现特殊应用的芯片设计
- 由于矽芯片直接安装在模块基板,所以可大幅降低热阻
- 可在高温下持续运行 (通常高于 175°C)
- 可在高电流情况下持续运行 (通常高于 200 A)
- 组装到混合模块后拥有超高可靠度
- 百分之百个别功率芯片测试,确保高质量
- 经过雪崩测试与视觉监测
- 25 A 高电流测试
- 采用卷带式封装供货
- 电子动力方向盘 (EPAS, Electric Power Assisted Steering)
- 集成启动交流发电机 (ISA, Integrated Starter Alternator)
功率裸芯片计划 - Known Good Die (KGD) 汽车电子功率 MOSFET
BUK9004-30A
BUK9005-40A
BUK9006-55A